发明名称 磁控溅镀制程
摘要 一种磁控溅镀制程,包括下列数个步骤。首先,先提供一反应腔室,其至少包括一基板座、一靶材以及一磁控装置,其中此靶材之材质包括铝或铝合金或是熔点大于铝或铝合金的金属材质。接着,将一基板移至此基板座上,之后将反应腔室的压力调整至0.1pa~0.35pa之间,以于基板上形成一薄膜。藉由将反应腔室的压力调整至0.1pa~0.35pa之间,以进行基板溅镀制程,即可使沉积的薄膜连续地形成于基板上,以避免产生爬坡断线现象,进而提高基板之镀膜良率。
申请公布号 TW200624584 申请公布日期 2006.07.16
申请号 TW094100337 申请日期 2005.01.06
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 李育舟;锺享显;许泓译
分类号 C23C14/35 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 台北市中山区中山北路3段22号