发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D'INTERCONNEXIONS A CAVITES POUR CIRCUIT INTEGRE
摘要 L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexions électriques de type damascène pour un circuit intégré, comprenant au moins un niveau d'interconnexions, constitué de conducteurs électriques disposés sur un substrat et séparés entre eux par des cavités d'air, une couche de matériau électriquement isolant recouvrant le niveau d'interconnexions, le procédé comprenant les étapes consistant à :- déposer une couche de matériau sacrificiel sur le substrat,- graver la couche de matériau sacrificiel selon un motif correspondant aux conducteurs électriques,- déposer, sur la couche gravée de la couche de matériau sacrificiel, une couche de membrane en matériau perméable à un agent d'attaque permettant de décomposer le matériau sacrificiel,- décomposer le matériau sacrificiel au moyen de l'agent d'attaque, moyennant quoi des cavités d'air sont formées à la place du matériau sacrificiel décomposé,- former les conducteurs électriques dans le motif de gravure pour obtenir des conducteurs électriques séparés par des cavités d'air,- déposer une couche de matériau électriquement isolant pour recouvrir le niveau d'interconnexions obtenu.
申请公布号 FR2913816(A1) 申请公布日期 2008.09.19
申请号 FR20070053885 申请日期 2007.03.16
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT PUBLIC A CARACTERE INDUSTRIEL ET COMMERCIAL 发明人 GAILLARD FREDERIC-XAVIER
分类号 H01L21/768;H01L23/522 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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