| 摘要 |
一种形成图案之方法,包括:(a)提供具有一牺牲层之基材,牺牲层系由第一材料所组成且部份或完全形成于基材上;(b)利用第一手段形成复数个图案沟槽于牺牲层上,图案沟槽不含第一材料,且线宽为等于或小于第一解析度,藉此牺牲层是直接处理而形成一条线;以及(c)利用一第二手段将一第二材料填入图案沟槽中而得第二解析度,以形成一第二材料图案于基材上。此外,亦提供一种以方法形成图案之基材。本方法包括结合使用如雷射聚焦能量束等之具高解析度的第一手段及如喷墨法等之具低解析度的第二手段来形成一高解析度图案,因此可提高制程效率。 |
| 主权项 |
1.一种形成图案之方法,该方法包括下列步骤: (a)提供一具有一牺牲层之基材,该牺牲层系由一第 一材料所组成且部份或完全形成于该基材上; (b)利用一第一手段形成复数个图案沟槽于该牺牲 层上,该些图案沟槽不含该第一材料,且具有一第 一解析度或小于该第一解析度的一线宽,其中该牺 牲层系直接处理而形成一线(line);以及 (c)利用一第二手段将一第二材料填入该些图案沟 槽中而得一第二解析度,以形成一第二材料图案于 该基材上。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤 (c)之后,更包括一步骤(d)移除一留下的牺牲层。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在该步骤 (d)移除该留下的牺牲层时,同时移除该牺牲层上部 之上的该第二材料。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该步骤(d) 为使用一溶剂或一溶液来移除该牺牲层的一湿式 移除制程,或为不使用一溶剂或一溶液来移除该牺 牲层的一乾式移除制程。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤 (c)利用该第二手段将该第二材料填入该些图案沟 槽中而得该第二解析度时,更包括形成另一由该第 二材料所组成之图案于一不含该牺牲层的区域上, 而具该第二解析度或不同于该第二解析度的一第 三解析度。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤 (c)中利用该第二手段将该第二材料填入该些图案 沟槽中而得的该第二解析度系小于该步骤(b)所形 成之该些图案沟槽的该线宽。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(a) 中的该牺牲层是利用与该第二手段相同或不同的 一第三手段加以图案化,而得到不同于该些图案沟 槽解析度的一第四解析度。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b) 中用来移除该牺牲层以形成该些图案沟槽的该第 一手段为使用一聚焦能量束,及使用一光罩或一光 学绕射元件来控制该聚焦能量束的形状。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b) 利用具等于或小于该第一解析度之该第一手段来 移除该牺牲层包括使用具一第五解析度的一光罩 或一光学绕射元件来形成等于或小于该第五解析 度的该些图案沟槽,且该第五解析度大于该第一解 析度,接着于步骤(c)中利用该第二手段将该第二材 料填入该些图案沟槽中,以得到小于该第五解析度 的该第二解析度。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中由该第 一材料组成之该牺牲层系形成在一包含复数个预 置图案区域的基材上。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一 手段包括使用一聚焦能量束照射,而该第二手段包 括使用一喷墨法。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括:在该 步骤(a)形成该牺牲层后,形成一保护层于该牺牲层 之上,以及在该步骤(b)后,移除该保护层;或者在该 步骤(c)填入该第二材料后,形成一保护层于该第二 材料之上,以及在该步骤(d)后,移除该保护层。 13.一种具有预置图案之基材,该基材包括一由一第 一材料所组成之牺牲层,部份或完全形成于该基材 表面上,其中该牺牲层包括复数个图案沟槽,该些 图案沟槽是利用一第一手段直接处理而形成一线( line),且不含该第一材料,并具有一小于或等于一第 一解析度的线宽,该些图案沟槽内为利用一第二手 段填满一第二材料,而具一第二解析度。 14.如申请专利范围第13项所述之基材,其中位于一 含该牺牲层之区域内的该些图案沟槽是填满该第 二材料以具该第二解析度,而由该第二材料组成之 另一图案则是形成于一不含该牺牲层之区域内以 具该第二解析度或不同于该第二解析度的一第三 解析度。 15.如申请专利范围第13或14项所述之基材,其中留 在该基材上的该牺牲层已从该基材上移除。 16.如申请专利范围第13或14项所述之基材,其中由 该第一材料所组成之该牺牲层系形成在包含复数 个预置图案区域的该基材上。 17.如申请专利范围第13或14项所述之基材,其中图 案化于该基材上的该牺牲层具有一第四解析度,该 第四解析度不同于形成在该牺牲层上的该些图案 沟槽解析度。 18.如申请专利范围第13或14项所述之基材,其中该 牺牲层上的该些图案沟槽是由一聚焦能量束照射 所形成,该第二材料是利用一喷墨法填入该些图案 沟槽中。 19.如申请专利范围第13或14项所述之基材,更包括 一保护层,用以避免在移除该第一材料或该第二材 料之后,做为该牺牲层的该第一材料或留在该牺牲 层与该第一材料上的该第二材料黏回至一已图案 化之区域或该基材。 图式简单说明: 图1系利用习知喷墨图案化制程以形成图案的方法 流程图。 图2系利用习知雷射图案化制程以形成图案的方法 流程图。 图3系根据本发明一较佳实施例之形成图案方法的 流程图。 图4系根据本发明一较佳实施例之部分形成高解析 度图案方法的流程图。 图5及图6系分别显示使用低分子量材料与高分子 量材料做为牺牲层,并移除由雷射所形成之图案材 料区域后的结果。 图7及图8系分别绘示使用低分子量材料与高分子 量材料做为牺牲层的实施流程图。 图9系在移除牺牲层与多余官能性材料之前所得的 图案照片,其亦做为依本发明方法可得之最小线宽 的实验佐证。 |
