| 主权项 |
1.一种将气体分布到一处理室内的设备,其至少包 含: 一在该处理室内之气体分布板,其具有复数个孔穿 过它;及 一档板,其位在该气体分布板上方且与其间隔开, 该档板具有复数个孔穿过它及馈通通路延伸穿过 该档板的一中央区; 其中一第一气体路径被建构来输送一第一气体相 继地通过该档板及该气体布板;及 其中一第二气体路径被建构来输送一第二气体环 绕该档板,通过该延伸穿过该档板的一中央区的馈 通通路,且通过该气体分布板。 2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该第二气 体路径包括一径向通道,其具有一周边出口接近该 室的周边。 3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该第二气 体路径包括一馈通通路,其从该径向通道延伸出并 通过该档板,该馈通通路系沿着该径向通道被设置 在一靠内的位置处。 4.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该第二气 体路径包括至少两个馈通通路,其从该径向通道延 伸出并通过该档板,该等馈通通路系沿着该径向通 道被设置在靠内的位置处。 5.如申请专利范围第2项所述之设备,其更包含一块 件其被固定在该周边出口处,其包括一预定尺寸的 孔口用来控制第二气体通过该径向通道的流量。 6.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该处理室 为一化学气相沉积室。 7.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该档板包 含约500的孔洞。 8.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该档板包 括约500个孔洞,每一孔洞具有一约0.16mm的直径。 9.一种用来将气体分布到一处理室内的设备,其至 少包含:一在该处理室内之气体分布板;一在该处 理室内的安装板,其具有复数个径向孔,该等径向 孔提供通到一介于该安装板与该气体分布板之间 的区域的周边出口,该等径向孔与一气体分布组件 成流体连通;及一档板,其被设置在该安装板与该 气体分布板之间,其中该档板的一第一侧与该气体 分布组件成流体连通。 10.如申请专利范围第9项所述之设备,其更包含馈 通通路,其从该等径向孔延伸出并通过该档板,该 等馈通通路系沿着该径向通道被设置在靠内的位 置处。 11.如申请专利范围第10项所述之设备,其该等径向 孔之被选取的孔具有至少两个馈通通路。 12.如申请专利范围第9项所述之设备,其更包含块 件其被固定在该等周边出口处,该等块件包括一预 定尺寸的孔口用来控制第二气体通过该等径向孔 的流量。 13.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该处理 室为一化学气相沉积室。 14.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该档板 包含约500的孔洞。 15.如申请专利范围第9项所述之设备,其中该档板 包括约500个孔洞,每一孔洞具有一约0.16mm的直径。 16.一种用来处理一基材的方法,该方法至少包含以 下之步骤:经由一第一气体路径将一处理气体输送 到一化学气相沉积室内,该第一气体路径包括流过 一档板,该档板产生一压降;让该处理气体其反应 用以沉积一物质于一基材表面上;将该基材从该室 中移出;经由一第二气体路径将一清洁气体输送至 该室中,该第二气体路径包括让该清洁气体流经径 向通道,该等径向通道具有分离的周边出口,其接 近该室的周边且绕过该档板;及让该清洁气体与该 室内的沉积物起反应,来将沉积物从该室中被蚀刻 掉。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中输送清 洁气体的步骤包括让清洁气体流经该等馈通通路, 其从该等径向孔延伸出并通过该档板,该等馈通通 路系沿着该径向通道被设置在靠内的位置处。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该清洁 气体包含一含氟气体。 19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该清洁 气体包含NF3。 20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该清洁 气体包含一气体,其系从由F2、C4、C3F8、C2F4、SF6、 C2F6、CCl4及C2Cl6所组成的组群中选取的至少一气体 。 图式简单说明: 第1图为一化学气相沉积(CVD)系统的示意图,其体现 本发明不同的实施例。 第2图为用于该CVD系统的一气体分布组件的立体图 ,其体现了本发明的不同实施例。 第3图为该气体分布组件的一顶视图,其体现了本 发明的不同实施例。 第4图为第3图中之气体分布组件沿着剖面线4-4所 取的部分剖面图。 第5图为第4图中之气体分布组件沿着剖面线5-5所 取的部分剖面图。 第6图为使用在一用于一CVD系统中之气体分布组件 上的气体盒的另一实施例的部分剖面图。 第7图为第6图中之气体分布组件沿着剖面线7-7所 取的部分剖面图。 |
