| 摘要 |
一种沟渠式电容器的制造方法,系先利用位于基底上的图案化之罩幕层进行图案化制程,以于基底中形成多个沟渠。然后,于各沟渠表面之基底中形成下电极。接着,移除部分图案化之罩幕层,以暴露出各沟渠顶部两侧之部分基底。继之,于基底上与各沟渠表面形成电容介电层。随后,于基底上方形成导电层,导电层系至少填满各沟渠,且覆盖电容介电层。接着,移除图案化之罩幕层与部分导体层,且保留覆盖电容介电层之部分导体层,以形成上电极。 |
| 主权项 |
1.一种沟渠式电容器的制造方法,包括: 利用位于一基底上之一图案化之罩幕层进行一图 案化制程,以于该基底中形成多数个沟渠; 于各该些沟渠表面之该基底中形成一下电极; 移除部分该图案化之罩幕层,以暴露出各该些沟渠 顶部两侧之部分该基底; 于该基底上与各该些沟渠表面形成一电容介电层; 于该基底上方形成一导电层,该导电层系至少填满 各该些沟渠,且覆盖该电容介电层;以及 移除该图案化之罩幕层与部分该导体层,且保留覆 盖该电容介电层之部分该导体层,以形成一上电极 。 2.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中移除部分该图案化之罩幕层,以暴露 出各该些沟渠顶部两侧之部分该基底的方法包括 等向性蚀刻法。 3.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中于形成该上电极之后,更包括于该导 电层、该电容介电层及相邻二该些沟渠之间的部 分该基底中形成一隔离结构。 4.如申请专利范围第3项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该隔离结构包括浅沟渠隔离结构( shallow trench isolation,STI)。 5.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该电容介电层包括一高介电常数之介 电材料层。 6.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该高介电常数之介电材料层的材质包 括氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)、氮化矽/氧化矽(NO) 、氧化钽(Ta2O5)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)与钛酸 钡锶(barium strontium titanate,BST)。 7.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该电容介电层的形成方法包括化学气 相沈积法或溅镀法(sputtering)。 8.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该图案化之罩幕层包括由该基底往上 依序是一图案化之垫氧化层与一图案化之氮化矽 层。 9.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该导电层的材质包括掺杂多晶矽。 10.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该导电层的形成方法包括化学气相沈 积法。 11.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该下电极包括掺杂区。 12.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的制 造方法,其中该下电极的形成方法包括离子植入法 或热扩散法。 13.一种沟渠式电容器,配置于一基底之一沟渠中, 该沟渠式电容器包括: 一下电极,配置在该沟渠表面之该基底中; 一电容介电层,配置于该沟渠表面,且位于该沟渠 顶部侧边之部分该基底上; 一上电极,配置于该沟渠中与该基底上,且覆盖该 电容介电层;以及 一隔离结构,配置在部分该电容介电层与该上电极 中,且位于部分的该基底中。 14.如申请专利范围第13项所述之沟渠式电容器,其 中该电容介电层包括一高介电常数之介电材料层 。 15.如申请专利范围第14项所述之沟渠式电容器,其 中该高介电常数之介电材料层的材质包括氧化矽/ 氮化矽/氧化矽、氮化矽/氧化矽、氧化钽、氧化 锆、氧化铪与钛酸钡锶。 16.如申请专利范围第13项所述之沟渠式电容器,其 中该上电极包括一导体层。 17.如申请专利范围第16项所述之沟渠式电容器,其 中该导体层的材质包括掺杂多晶矽。 18.如申请专利范围第13项所述之沟渠式电容器,其 中该下电极包括掺杂区。 19.如申请专利范围第13项所述之沟渠式电容器,其 中该隔离结构包括浅沟渠隔离结构。 图式简单说明: 图1A至图1D所绘示为习知一种沟渠式电容器的制造 流程之剖面图。 图2A至图2H为依照本发明实施例所绘示之记忆体的 制造流程剖面图。 |
