| 摘要 |
一种直射式发光二极体,主要包括一金属底座、一晶片、一框架及一保护层,其中,金属底座表面系蚀刻或冲压成型有一晶杯部及至少一电极部,并于单位面积内的材料上,同时生产更多的金属底座,以提升生产效率;又,底座一面上系框围设有框架,以发出与底座垂直的直进光线。 |
| 主权项 |
1.一种直射式发光二极体,其包括: 一金属底座,系蚀刻成型或冲压成型有一晶杯部及 至少一电极部; 一固设于晶杯部的晶片,该晶片经打线连接至该电 极部; 一框围设于该金属底座一面的框架,该框架中心系 成型有一容置部,并于该晶片周围形成环设的高墙 ; 一包覆该晶片的保护层,该保护层系填充于该框架 的该容置部内,以完全包覆该金属底座的晶杯部, 及该电极部的一部分。 2.如申请专利范围第1项所述之直射式发光二极体, 其中,该晶杯部系成型有一凹槽。 3.如申请专利范围第1项所述之直射式发光二极体, 其中,该容置部系为椭圆形透孔。 4.如申请专利范围第1项所述之直射式发光二极体, 其中,该容置部系为矩形透孔。 5.如申请专利范围第1项所述之直射式发光二极体, 其中,该保护层系为环氧树脂。 6.如申请专利范围第1项所述之直射式发光二极体, 其中,该保护层系为矽胶。 图式简单说明: 第1图,习知发光二极体的立体外观图。 第2图,习知发光二极体的剖视图。 第3图,为本创作较佳实施例的立体外观图。 第4图,为本创作较佳实施例的立体分解图。 第5图,为本创作较佳实施例的发光示意图。 第6图,为本创作另一较佳实施例的立体外观图。 |
