发明名称 带差参考电路
摘要 一种带差参考电路,以第一电源电位或第二电源电位为输入电压,以输出参考电压。此电路包括第一参考电路、第二参考电路、电源选择电路以及开关电路。第一参考电路接收第一电源电位,用以产生第一电压。第二参考电路接收第二电源电位,用以产生第二电压。当电源选择电路以第一电源电位为输入电压时,输出第一控制讯号,当电源选择电路以第二电源电位为输入电压时,输出第二控制讯号。开关电路耦接电源选择电路、第一参考电路以及第二参考电路;当接收到该第一控制讯号,输出该第一电压,当接收到该第二控制讯号,输出该第二电压。
申请公布号 TWI298829 申请公布日期 2008.07.11
申请号 TW094120139 申请日期 2005.06.17
申请人 联阳半导体股份有限公司 发明人 周宜群
分类号 G05F3/08(200601AFI20080527VHTW) 主分类号 G05F3/08(200601AFI20080527VHTW)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种带差参考电路,以一第一电源电位以及一第 二电源电位之二者其一为一输入电压,以输出一参 考电压,该带差参考电路包括: 一第一参考电路,接收该第一电源电位,用以产生 一第一电压; 一第二参考电路,接收该第二电源电位,用以产生 一第二电压; 一电源选择电路,当以该第一电源电位为输入电压 时,输出一第一控制讯号,当以该第二电源电位为 输入电压时,输出一第二控制讯号;以及 一开关电路,耦接该电源选择电路、该第一参考电 路以及该第二参考电路,当接收到该第一控制讯号 ,输出该第一电压,当接收到该第二控制讯号,输出 该第二电压。 2.如申请专利范围第1项所述之带差参考电路,其中 该第一参考电路包括: 一第一运算放大器,包括一第一电源输入端、一第 一正输入端、一第一负输入端以及一第一输出端, 用以产生该第一电压; 一第一双载子电晶体,包括第一基极、第一射极以 及第一集极,该第一基极以及集极接地,该第一射 极耦接该第一正输入端; 一第二双载子电晶体,包括第二基极、第二射极以 及第二集极,该第二基极以及该第二集极接地; 一第一电阻,该第一电阻之一端耦接该第一正输入 端,该第一电阻的另一端选择性耦合至该第一输出 端以及选择性耦合接地; 一第二电阻,该第二电阻之一端耦接该第一负输入 端,该第二电阻之另一端耦接该第二射极;以及 一第三电阻,该第三电阻之一端耦接该第一负输入 端该第三电阻的另一端选择性耦合至该第一输出 端以及选择性耦合接地。 3.如申请专利范围第2项所述之带差参考电路,其中 该第二参考电路包括: 一电源输入端,接收该输入电压; 一第二运算放大器,包括一第二电源输入端、一第 二正输入端、一第二负输入端以及一第二输出端, 该第二正输入端耦接该第一负输入端,该第二负输 入端耦接该第一正输入端; 一第一场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第一场效应电晶体之闸极耦接该第 二输出端,该第一场效应电晶体之第一源汲极选择 性耦合该电源输入端,该第一场效应电晶体之第二 源汲极选择性耦合该第二负输入端; 一第二场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第二场效应电晶体之闸极耦接该第 二输出端,该第二场效应电晶体之第一源汲极选择 性耦合该电源输入端,该第二场效应电晶体之第二 源汲极选择性耦合该第二正输入端; 一第四电阻,该第四电阻之一端接地;以及 一第三场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第三场效应电晶体之闸极耦接该第 二输出端,该第三场效应电晶体之第一源汲极选择 性耦合该电源输入端,该第三场效应电晶体之第二 源汲极耦接该第四电阻之另一端,用以产生该第二 电压。 4.如申请专利范围第3项所述之带差参考电路,其中 该开关电路包括: 一参考电压端; 一第一开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第一开关之第一端耦接该电源端,该第一开关之第 二端耦接该第一、该第二以及该第三场效应电晶 体之第一源汲极以及该第二电源输入端,当该第一 开关之控制端接收到该第二控制讯号,导通该第一 开关之第一端以及第二端; 一第二开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第二开关之第一端耦接该第一输出端,该第二开关 之第二端耦接该第一电阻之另一端,当该第二开关 之控制端接收到该第一控制讯号,导通该第二开关 之第一端以及第二端; 一第三开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第三开关之第一端耦接该第一电阻之另一端,该第 三开关之第二端耦接该第一双载子电晶体之基极, 当该第三开关之控制端接收到该第二控制讯号,导 通该第三开关之第一端以及第二端; 一第四开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第四开关之第一端耦接该电源端,该第四开关之第 二端耦接该第一电源输入端,当该第四开关之控制 端接收到该第二控制讯号,导通该第四开关之第一 端以及第二端; 一第五开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第五开关之第一端耦接该第一输出端,该第五开关 之第二端耦接该第三电阻之另一端,当该第五开关 之控制端接收到该第一控制讯号,导通该第五开关 之第一端以及第二端; 一第六开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第六开关之第一端耦接该第一场效应电晶体之第 二源汲极,该第六开关之第二端耦接该第一正输入 端,当该第六开关之控制端接收到该第二控制讯号 ,导通该第六开关之第一端以及第二端; 一第七开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第七开关之第一端耦接该第二场效应电晶体之第 二源汲极,该第七开关之第二端耦接该第一负输入 端,当该第七开关之控制端接收到该第二控制讯号 ,导通该第七开关之第一端以及第二端; 一第八开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第八开关之第一端耦接该第三场效应电晶体之第 二源汲极,该第八开关之第二端耦接该参考电压端 ,当该第八开关之控制端接收到该第二控制讯号, 导通该第八开关之第一端以及第二端; 一第九开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第九开关之第一端耦接该第三电阻之另一端,该第 九开关之第二端接地,当该第九开关之控制端接收 到该第二控制讯号,导通该第九开关之第一端以及 第二端;以及 一第十开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第十开关之第一端耦接该第一输出端,该第十开关 之第二端耦接该参考电压端,当该第十开关之控制 端接收到该第一控制讯号,导通该第十开关之第一 端以及第二端。 5.如申请专利范围第1项所述之带差参考电路,其中 该第一参考电路包括: 一电源输入端,接收该输入电压; 一运算放大器,包括一电源端、一正输入端、一负 输入端以及一运算输出端,该电源端选择性耦合该 电源输入端,用以产生该第一电压至该运算输出端 ; 一第一双载子电晶体,包括第一基极、第一射极以 及第一集极,该第一基极以及集极接地,该第一射 极选择性耦合该负输入端以及选择性耦合该正输 入端; 一第二双载子电晶体,包括第二基极、第二射极以 及第二集极,该第二基极以及集极接地; 一第一电阻,该第一电阻之一端耦接该负输入端, 该第一电阻之另一端选择性耦合接地以及选择性 耦合该运算输出端; 一第二电阻,该第二电阻之一端耦接该第二射极, 该第二电阻之另一端选择性耦合该负输入端以及 选择性耦合该正输入端;以及 一第三电阻,该第三电阻之一端耦接该第二电阻之 另一端,该第三电阻之另一端选择性耦合接地以及 选择性耦合该运算输出端。 6.如申请专利范围第5项所述之带差参考电路,其中 该第二参考电路包括: 一第一场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第一场效应电晶体之闸极选择性耦 合该运算输出端,该第一场效应电晶体之第一源汲 极选择性耦合该电源输入端; 一第二场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第二场效应电晶体之闸极耦接该第 一场效应电晶体之闸极,该第二场效应电晶体之第 一源汲极耦接该第一场效应电晶体之第一源汲极, 该第二场效应电晶体之第二源汲极选择性耦合该 第二电阻之另一端; 一第四电阻,该第四电阻之一端接地;以及 一第三场效应电晶体,包括闸极、第一源汲极以及 第二源汲极,该第三场效应电晶体之闸极耦接该第 二场效应电晶体之闸极,该第三场效应电晶体之第 一源汲极耦接该第二场效应电晶体之第一源汲极, 该第三场效应电晶体之第二源汲极耦接该第四电 阻之另一端并且用以输出该第二电压。 7.如申请专利范围第6项所述之带差参考电路,其中 该开关电路包括: 一参考电压端; 一第一开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第一开关之第一端耦接该电源端,该第一开关之第 二端耦接该第一、该第二以及该第三场效应电晶 体之第一源汲极,当该第一开关之控制端接收到该 第二控制讯号,导通该第一开关之第一端以及第二 端; 一第二开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第二开关之第一端耦接该电源端,该第二开关之第 二端耦接该电源输入端,当该第二开关之控制端接 收到该第二控制讯号,导通该第二开关之第一端以 及第二端; 一第三开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第三开关之第一端耦接该运算输出端,该第三开关 之第二端耦接该第一场效应电晶体之闸极,当该第 三开关之控制端接收到该第二控制讯号,导通该第 三开关之第一端以及第二端; 一第四开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第四开关之第一端耦接该正输入端,该第四开关之 第二端耦接该第一双载子电晶体之射极,当该第四 开关之控制端接收到该第二控制讯号,导通该第四 开关之第一端以及第二端; 一第五开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第五开关之第一端耦接该正输入端,该第五开关之 第二端耦接该第二电阻之另一端,当该第五开关之 控制端接收到该第二控制讯号,导通该第五开关之 第一端以及第二端; 一第六开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第六开关之第一端耦接该第三场效应电晶体之第 二源汲极,该第六开关之第二端耦接该参考电压端 ,当该第六开关之控制端接收到该第二控制讯号, 导通该第六开关之第一端以及第二端; 一第七开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第七开关之第一端耦接该第一电阻之另一端,该第 七开关之第二端接地,当该第七开关之控制端接收 到该第二控制讯号,导通该第七开关之第一端以及 第二端; 一第八开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第八开关之第一端耦接该第三电阻之另一端,该第 八开关之第二端接地,当该第八开关之控制端接收 到该第二控制讯号,导通该第八开关之第一端以及 第二端; 一第九开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第九开关之第一端耦接该第一场效应电晶体之第 二源汲极,该第九开关之第二端耦接该第一双载子 电晶体之射极,当该第九开关之控制端接收到该第 二控制讯号,导通该第九开关之第一端以及第二端 ;以及 一第十开关,包括第一端、第二端以及控制端,该 第十开关之第一端耦接该第二场效应电晶体之第 二源汲极,该第十开关之第二端耦接该第二电阻之 另一端,当该第十开关之控制端接收到第一控制讯 号,导通该第十开关之第一端以及第二端。 一第十一开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十一开关之第一端耦接该电源端,该第十一开 关之第二端耦接该电源输入端,当该第十一开关之 控制端接收到该第一控制讯号,导通该第十一开关 之第一端以及第二端; 一第十二开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十二开关之第一端耦接该第一电阻之另一端, 该第十二开关之第二端耦接该运算输出端,当该第 十二开关之控制端接收到该第一控制讯号,导通该 第十二开关之第一端以及第二端; 一第十三开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十四开关之第一端耦接该正输入端,该第十三 开关之第二端耦接该第一双载子电晶体之射极,当 该第十三开关之控制端接收到该第一控制讯号,导 通该第十三开关之第一端以及第二端; 一第十四开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十四开关之第一端耦接该负输入端,该第十四 开关之第二端耦接该第二电阻之另一端,当该第十 四开关之控制端接收到该第一控制讯号,导通该第 十四开关之第一端以及第二端; 一第十五开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十五开关之第一端耦接该第十二开关之第二 端,该第十五开关之第二端耦接该第三电阻之另一 端,当该第十五开关之控制端接收到该第一控制讯 号,导通该第十五开关之第一端以及第二端;以及 一第十六开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十六开关之第一端耦接该第十二开关之第二 端,该第十六开关之第二端耦接该参考电压端,当 该第十六开关之控制端接收到该第一控制讯号,导 通该第十六开关之第一端以及第二端。 8.如申请专利范围第7项所述之带差参考电路,其中 该开关电路更包括: 一第十七开关,包括第一端、第二端以及控制端, 该第十七开关之第一端耦接该运算输出端,该第十 七开关之第二端耦接该第十二开关之第二端,当该 第十七开关之控制端接收到该第一控制讯号,导通 该第十七开关之第一端以及第二端。 图式简单说明: 图1A绘示为习知带差参考电路之简化电路图。 图1B绘示为习知图1A带差参考电路之实际布局。 图2绘示为习知低电压带差参考电路之实际布局。 图3为本发明一实施例之带差参考电路之电路方块 图。 图4为图3的之一种详细电路。 图5为图3的另一种详细电路。
地址 新竹市新竹科学工业园区创新一路13号3楼