| 主权项 |
1.一种沉积障壁层于有凹部之基板之方法,该方法 包含一种沉积障壁层于具有凹部之基板之方法,包 括于含氮气氛下溅镀钽,其中氮气流系选择可沉积 混合相bcc/Ta,以及其中溅镀离子有足够能量,致 使沉积材料由凹部底部再度被溅镀至侧壁。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中氮气分压系占 总压之10%至30%之范围。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板被施加 负偏压。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中该基板被施加 负偏压。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板偏压为 -50伏特至-500伏特。 6.如申请专利范围第2项之方法,其中该基板偏压为 -50伏特至-500伏特。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板偏压为 -150伏特至-250伏特。 8.如申请专利范围第2项之方法,其中该基板偏压为 -150伏特至-250伏特。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中该沉积于侧壁 之障壁层电阻率系高于沉积于凹部底部之障壁层 电阻率。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该沉积于侧 壁之障壁层电阻率系高于沉积于凹部底部之障壁 层电阻率。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积于凹 部底部之障壁层电阻率系于50-150微欧姆厘米之范 围。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该来自底部 之材料于含氮气氛下再溅镀于侧壁。 13.一种于基板凹部之障壁层,包含含氮混合相bcc/ Ta,其中于凹部侧壁之障壁层部分系经由于含氮 气周围气氛下,由钽溅镀目标进行反应性溅镀沉积 之同时,再溅镀至少部分于凹部底部之材料而形成 。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中于凹部底部 之障壁层具有电阻率于50-150微欧姆厘米之范围。 15.一种于基板凹部之障壁层,包含含氮混合相bcc/ Ta,其中该于凹部底部之障壁层具有电阻率低于 150微欧姆厘米。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该于凹部底 部之障壁层具有电阻率大于50微欧姆厘米。 图式简单说明: 第1图为用于先进Hi-Fill(AHF),TaN沉积于电阻率及相 形成相对氮气作图之线图; 第2图为线图显示于480℃真空退火40分钟后Ta(N)障 壁呈氮气流之函数之/2 XRD结果; 第3图为扫描电子显微相片,显示HF浸泡于于不同偏 压条件下沉积之Ta之结果; 第4图显示HF浸泡于沉积于通孔结构之各Ta(N)相结 果; 第5图显示于沟渠结构Ta、混合bcc/Ta及高氮气 流Ta(N)之侧壁覆盖率; 第6图显示氮气流、氮分压(于氩气分压)及总压间 之关系;以及 第7图为线图显示于615℃真空退火40分钟后Ta(N)障 壁呈氮气流之函数之/2 XRD结果。 |
