发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HETEROÜBERGANG-BICMOS-INTEGRIERTER SCHALTUNG
摘要
申请公布号 DE60134220(D1) 申请公布日期 2008.07.10
申请号 DE20016034220 申请日期 2001.03.28
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTORS INC. 发明人 JOHN, JAY P.;KIRCHGESSNER, JAMES A.;LIM, IK-SUNG;KANESHIRO, MICHAEL H.;BURGER, VIDA ILDEREM;DAHL, PHILLIP W.;STOLFA, DAVID L.;MAUNTEL, RICHARD W.;STEELE, JOHN W.
分类号 H01L21/8249;H01L21/331;H01L27/06 主分类号 H01L21/8249
代理机构 代理人
主权项
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