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Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem parallel zueinander ein erster mit einem dielektrischen Material gefüllter isolierender Graben und ein zweiter, mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllter leitender Graben erzeugt werden kann. Dazu werden erster und zweiter Graben mit unterschiedlicher Grabenbreite geätzt, so dass der erste Graben nach ganzflächig kantenbedeckendem Abscheiden einer dielektrischen Schicht vollständig mit dem dielektrischen Material gefüllt wird, während der breitere zweite Graben nur an den Innenwänden von der dielektrischen Schicht bedeckt ist. Durch anisotropes Rückätzen der dielektrischen Schicht wird am Boden des zweiten Grabens das Halbleitersubstrat freigelegt. Anschließend wird der zweite Graben mit einem elektrisch leitfähigen Material befüllt und stellt dann eine niederohmige Verbindung von der Substratoberfläche hin zu der unterhalb des zweit
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