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Die Erfindung betrifft eine Diode mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Vorderseite (11) und eine der Vorderseite (11) in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (1) gegenüberliegende Rückseite (12) aufweist, in dem in der vertikalen Richtung (z), ausgehend von der Rückseite (12) hin zur Vorderseite (11), aufeinanderfolgend eine stark n-dotierte Zone (5), eine schwach n-dotierte Zone (4), eine schwach p-dotierte Zone (3) und eine stark p-dotierte Zone (2) angeordnet sind. In der vertikalen Richtung (z) weist die schwach p-dotierte Zone (3) eine Dicke (d3) von wenigstens 25% und höchstens 50% der Dicke (d1) des Halbleiterkörpers (1) auf. Zur Herstellung der schwach p-dotierten Zone (3) einer solchen erfindungsgemäßen Diode kann in den Halbleiterkörper (1), ausgehend von der Vorderseite (11), Aluminium eingebracht werden. Optional kann die Diode eine Feldstoppzone (9) aufweisen. Die Herstellung einer solchen Feldstoppzone (9) kann durch rückseitiges Eindiffundieren von Schwefel und/oder Selen in den Halbleiterkörper (1) erfolgen.
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