Nichtflüchtiges Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein nichtflüchtiges Speicherbauelement mit einer Ladungseinfangschichtstruktur (120) auf einer auf einem Kanalbereich (10) eines Substrats (100) ausgebildeten Tunnelisolationsschicht (102) sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements. Gemäß der Erfindung wird eine erste Blockierschichtstruktur (118) auf der Ladungseinfangschichtstruktur gebildet und zweite Blockierschichtstrukturen (122) werden auf der Tunnelisolationsschicht in der Nähe von Seitenwänden der Ladungseinfangschichtstruktur gebildet und so konfiguriert, dass eine laterale Diffusion von in der Ladungseinfangschichtstruktur eingefangenen Elektronen beschränkt wird. Auf der ersten Blockierschichtstruktur wird eine Gateelektrode (114) gebildet. Verwendung z.B. in der Flash-Speicherbauelementtechnologie.