氮化物基发光装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物基发光装置和制造该装置的方法，该装置包括比氧化铟锡具有更高的功函数的透明导电氧化物制成的透明电极。氮化物基发光装置具有由衬底、n-型复合层、有源层、P-型复合层以及电阻性接触层依次层叠的结构。电阻性接触层作为透明导电氧化物制成的薄膜，具有比氧化铟锡或掺有金属掺杂剂的透明导电氧化物制成的薄膜更高的功函数。因此，带有P-型复合层的电阻性接触特性得到提高，从而确保了优秀的电流-电压特性。此外，透明电极高的光透射率能够增加装置的发射效率。

主权项

1.一种氮化物基发光装置，其含有在n-型复合层与p-型复合层之间的有源层，其中，在p-型复合层上形成由透明导电氧化物制成的电阻性接触层，所述透明导电氧化物为选自下组的一种：由镓、铟和氧组成的第一透明导电氧化物，由锌、铟和氧组成的第二透明导电氧化物，和由镓、铟、锡和氧组成的第三透明导电氧化物。