发明名称 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
摘要 本发明公开了一种多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法,包括:字线、位线、源线以及位于字线、位线和源线之间的多个存储器单元;其中,所述存储单元中的晶体管的栅极与字线连接;所述存储单元中的晶体管的源极与电容器串联连接至源线上;所述存储单元中的晶体管的漏极与位线相连;所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和处于无源区的多晶硅依次连接形成;所述电容器在不同预定电压作用下,经过不同预定作用时间后,产生多种预定电阻值;所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。通过本发明,提高了单个存储器单元存储数据的能力和存储器的存储稳定性、进一步缩小了存储器的面积,从而更有利于大规模集成电路的应用。
申请公布号 CN101217148A 申请公布日期 2008.07.09
申请号 CN200710308408.5 申请日期 2007.12.29
申请人 北京芯技佳易微电子科技有限公司 发明人 朱一明;胡洪
分类号 H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 许静
主权项 1.一种多比特可编程非易失性存储器单元,包括晶体管,所述晶体管包括栅极、源极和漏极,其特征在于,还包括与所述晶体管的源极串联连接的电容器;所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和处于无源区的多晶硅依次连接形成;其中,所述阻挡层为该电容器的介质层;所述电容器在不同预定电压作用下,经过不同预定作用时间后,产生多种预定电阻值;所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。
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