发明名称 |
多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法,包括:字线、位线、源线以及位于字线、位线和源线之间的多个存储器单元;其中,所述存储单元中的晶体管的栅极与字线连接;所述存储单元中的晶体管的源极与电容器串联连接至源线上;所述存储单元中的晶体管的漏极与位线相连;所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和处于无源区的多晶硅依次连接形成;所述电容器在不同预定电压作用下,经过不同预定作用时间后,产生多种预定电阻值;所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。通过本发明,提高了单个存储器单元存储数据的能力和存储器的存储稳定性、进一步缩小了存储器的面积,从而更有利于大规模集成电路的应用。 |
申请公布号 |
CN101217148A |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200710308408.5 |
申请日期 |
2007.12.29 |
申请人 |
北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
发明人 |
朱一明;胡洪 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
许静 |
主权项 |
1.一种多比特可编程非易失性存储器单元,包括晶体管,所述晶体管包括栅极、源极和漏极,其特征在于,还包括与所述晶体管的源极串联连接的电容器;所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和处于无源区的多晶硅依次连接形成;其中,所述阻挡层为该电容器的介质层;所述电容器在不同预定电压作用下,经过不同预定作用时间后,产生多种预定电阻值;所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。 |
地址 |
100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 |