发明名称 |
具有ESD保护电路的半导体集成电路器件 |
摘要 |
一种半导体集成电路器件包括:在半导体芯片中形成的半导体集成电路,在所述半导体芯片中形成的、电流路径的一端以及另一端与所述半导体集成电路连接的开关元件,所述开关元件接收控制信号,通过双向动作使电流从所述电流路径的一端流向另一端。此外,该半导体集成电路器件还包括在所述半导体芯片中形成的、控制所述开关元件的电流路径的导通状态的控制电路,在所述电流路径两端的电压超过规定电压值的情况下,所述控制电路输出使所述开关元件的电流路径处于可导通状态的控制信号,在不超过所述规定电压值的情况下,使所述开关元件的电流路径处于非导通状态。 |
申请公布号 |
CN100401513C |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200410089951.7 |
申请日期 |
2004.08.27 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
佐藤洋一;清俊和;山口明 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H01L27/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路器件,其特征在于,包括:在半导体芯片中形成的半导体集成电路;在所述半导体芯片中形成的、电流路径的一端以及另一端与所述半导体集成电路连接的开关元件,所述开关元件接收控制信号,通过双向动作使电流从所述电流路径的一端流向另一端;和在所述半导体芯片中形成能够控制所述开关元件的电流路径的导通状态的控制电路,在所述电流路径两端的电压超过规定电压值的情况下,所述控制电路输出使所述开关元件的电流路径处于可导通状态的控制信号,在不超过所述规定电压值的情况下,使所述开关元件的电流路径处于非导通状态,其中所述开关元件是双极晶体管,该双极晶体管的集电极和发射极中的一个作为电流路径的一端,集电极和发射极中的另一个作为电流路径的另一端,并由基极接收所述控制信号。 |
地址 |
日本东京 |