Ⅱ－Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法

摘要

本发明公开了一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。

主权项

1.一种II-VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，其特征在于具体步骤如下：A.在II-VI族半导体材料原片上，用划片机划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，即原片作为一个整体仍然是一块晶片，即划缝的深度要小于原片的厚度，但要大于抛光后成型晶片厚度30-50微米；B.然后在有划切缝的原片表面放上蜡，加热到70℃，待蜡熔化后将原片粘到平整的玻璃基板上，冷却后先对其采用机械抛光，抛到大于划切缝深度8-10微米的晶片厚度时，再进行机械化学抛光，直至抛到成型晶片厚度；C.最后加热使蜡软化，此时划片机划出所需尺寸的晶片与周围边缘的晶片已完全分离，取出中间所需尺寸成型晶片，即完成了侧边缘保护的表面抛光。