| 发明名称 | 多分区热盘结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体晶片加工技术，具体地说是多分区热盘结构，解决热盘表面温度的均匀性不好，不能满足高精度加热的要求等问题。热盘中设有上盘和下盘以及安装于上下盘中间的加热片，加热片分成多个区，每个区设有独立的温度传感器。本实用新型在热盘上盘和压片中夹入一片分有多个区的加热片，并在每个区设计有独立的温度传感器，通过可以控制多路加热的控制器控制，并保证上盘的厚度、加工精度、平面度、表面处理和材料等条件达到热盘温度均匀性的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN201084709Y | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200720014858.9 | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 发明人 | 张怀东 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/67(2006.01);H05B3/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 1.多分区热盘结构，热盘中设有上盘以及安装于上盘中的加热片，其特征在于：加热片分成多个区，每个区设有独立的温度传感器。 | ||
| 地址 | 110168辽宁省沈阳市浑南新区飞云路16号 | ||