发明名称 | 一发光元件 | ||
摘要 | 一种发光元件,包含一基板、一n型氮化物半导体层、一p型氮化物半导体层、一发光层位于上述n型氮化物半导体层与上述p型氮化物半导体层之间。其中,上述发光层为一掺杂有n型杂质之多重量子井结构层,且上述n型杂质系掺杂于靠近上述n型半导体层与靠近上述p型半导体层两侧之区域,而上述多重量子井结构层之中间区域则无n型杂质或具有比上述两侧区域之浓度较低的n型杂质。透过上述多重量子井结构层之n型杂质掺杂的特定分布设计,能够有效提升发光二极体之发光效率。 | ||
申请公布号 | TW200841485 | 申请公布日期 | 2008.10.16 |
申请号 | TW096112473 | 申请日期 | 2007.04.09 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林鼎洋;赖世国;欧震 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 |