发明名称 一发光元件
摘要 一种发光元件,包含一基板、一n型氮化物半导体层、一p型氮化物半导体层、一发光层位于上述n型氮化物半导体层与上述p型氮化物半导体层之间。其中,上述发光层为一掺杂有n型杂质之多重量子井结构层,且上述n型杂质系掺杂于靠近上述n型半导体层与靠近上述p型半导体层两侧之区域,而上述多重量子井结构层之中间区域则无n型杂质或具有比上述两侧区域之浓度较低的n型杂质。透过上述多重量子井结构层之n型杂质掺杂的特定分布设计,能够有效提升发光二极体之发光效率。
申请公布号 TW200841485 申请公布日期 2008.10.16
申请号 TW096112473 申请日期 2007.04.09
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 林鼎洋;赖世国;欧震
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号