发明名称 |
利用矽接触孔对互补式金氧半导体图像感测器之晶圆级封装以及其制造方法 |
摘要 |
本发明系关于一种利用矽通孔接点之CMOS图像感测器晶圆层级封装及其制造方法。此CMOS图像感测器晶圆层级封装包括:一晶圆,其上有多个图像感测器(包括数个电极接垫)形成;一透明基板,其系黏附在该晶圆的正面;一通孔,其系从该晶圆的背面贯穿到在该正面数个电极接垫下方而形成;一钝化层,其系在除了该通孔内之该数个电极接垫的下方以及整个该晶圆之背面以外的其余部位形成;一通孔接点,其系在该通孔内形成;及一焊锡凸块,其系在该晶圆背面的该通孔接点上形成。 |
申请公布号 |
TW200841460 |
申请公布日期 |
2008.10.16 |
申请号 |
TW096113243 |
申请日期 |
2007.04.14 |
申请人 |
金龙成;朴太锡 |
发明人 |
金龙成;朴太锡 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/56(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |