发明名称 双载子电晶体及其制造方法
摘要 一种双载子电晶体及其制造方法,此种双载子电晶体可包含有一集极区,系形成于一基板中,一外延层,系形成于具有集极区的基板上,一基极区,系形成于外延层中,一射极区,系形成于基极区中,一氧化层,系形成于一沟道之侧壁上,此沟道穿过射极区、基极区、外延层而延伸至集极区中,以及一多晶矽层,系形成于此沟道中。
申请公布号 TW200841397 申请公布日期 2008.10.16
申请号 TW097109169 申请日期 2008.03.14
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 金南柱
分类号 H01L21/328(2006.01);H01L29/73(2006.01) 主分类号 H01L21/328(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩