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发明名称
双载子电晶体及其制造方法
摘要
一种双载子电晶体及其制造方法,此种双载子电晶体可包含有一集极区,系形成于一基板中,一外延层,系形成于具有集极区的基板上,一基极区,系形成于外延层中,一射极区,系形成于基极区中,一氧化层,系形成于一沟道之侧壁上,此沟道穿过射极区、基极区、外延层而延伸至集极区中,以及一多晶矽层,系形成于此沟道中。
申请公布号
TW200841397
申请公布日期
2008.10.16
申请号
TW097109169
申请日期
2008.03.14
申请人
东部高科股份有限公司
发明人
金南柱
分类号
H01L21/328(2006.01);H01L29/73(2006.01)
主分类号
H01L21/328(2006.01)
代理机构
代理人
许世正
主权项
地址
南韩
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