| 摘要 |
本发明提供一种场效电晶体用磊晶基板。场效电晶体用磊晶基板系在底层基板与动作层之间设置含有镓（gallium）的氮化物系3-5族半导体磊晶结晶，该氮化物系3-5族半导体磊晶结晶包含以下的（i）、（ii）及（iii）。（i）第一缓冲层，包含含有镓或铝、及添加有在元素周期表中与镓同一周期且原子序数较小之补偿杂质元素的高电阻结晶层；（ii）第二缓冲层，包含叠层于第一缓冲层之动作层侧的镓或铝；（iii）高纯度磊晶结晶层，设置在高电阻结晶层与动作层之间，无添加或含有可维持空乏状态之程度的微量受体杂质。 |
