氮化物半导体发光元件

摘要

〔课题〕本发明系有关于抑制作动电压之氮化物半导体发光元件，并以提供一种适用于在低电压下之利用且由氮化物系半导体构成的半导体雷射或发光二极体等发光元件。〔解决手段〕本发明一实施例提供一种氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：p型接触层28；p型中间层26，形成于该p型接触层28之下层；以及p型披覆层24，形成于该p型中间层之下层；其中，该p型接触层28与该p型中间层26间、及该p型中间层26与该p型披覆层24间之能带差系分别为200meV以下。