| 摘要 |
形成半导体元件之精细图案的方法，其包含于具有底层的基板上形成沉积膜。沉积膜包含第一、第二、第三遮罩膜。此方法亦包含于第三遮罩膜上形成光阻图案，将第三遮罩膜做出图案以形成沉积图案，以及在沉积图案的侧壁上形成非晶质碳图案。此方法进一步包含于沉积图案和非晶质碳图案上填充旋涂碳层，抛光旋涂碳层、非晶质碳图案、光阻图案以暴露第三遮罩图案，以及以非晶质碳图案做为蚀刻遮罩来进行蚀刻过程，以暴露第一遮罩膜。蚀刻过程移除了第三遮罩图案和暴露的第二遮罩图案。此方法亦包含移除旋涂碳层和非晶质碳图案，以及以第二遮罩图案做为蚀刻遮罩来形成第一遮罩图案。 |
