| 摘要 |
在非挥发记忆体单元之一电荷储存区域例如一浮动闸极内所储存之表观电荷偏移可能因为基于相邻单元所储存电荷的电场耦合而发生。为了解决该偏移，在读取时施加补偿。当读取一选定字元线时，先读取相邻字元线并将资料储存于用于各位元线的一组资料闩内。用于各位元线的一闩储存该资料系来自相邻字元线的一指示。接着使用基于该相邻字元线上不同单元状态之补偿来读取该选定字元线。各感测模组使用该来自相邻字元线之资料来在用于其位元线之适当补偿下选择感测结果。在适当时间使用来自该选定字元线之资料来覆写该来自相邻字元线之资料并更新该指示以反映该等闩储存来自该选定字元线之资料。有效率地使用该等资料闩排除使单独闩储存来自该相邻字元线之资料的需要。 |
