半导体元件、其制造方法、在其内形成间隙以及填充导孔的方法

摘要

本发明系提供一种半导体元件的制造方法，包括形成导孔在半导体基底内，以可抛弃式材料例如非结晶的碳填充导孔，形成介电层在基底上覆盖导孔，进行背面蚀刻以暴露出导孔内的可抛弃式材料。沈积背面介电层覆盖暴露的导孔，然后形成小开口，并除去可抛弃式材料，例如藉由等向性蚀刻制程达成。可使用金属填充导孔并作为导体，或是以介电材料填充，此外，也可以不填充导孔作为空气间隙。