| 摘要 |
在III族氮化物发光装置中，包括发光层之装置层10系成长于一模板上，该模板经设计以减少该装置中、尤其该发光层中之应变。减少该发光装置中之应变可改良该装置之效能。该模板可使该发光层中之晶格常数扩展超过适用于用成长模板之晶格常数范围。应变系定义如下：一既定层具有对应于与该层具有相同组合物之独立材料之晶格常数的块体晶格常数a#sB!bulk#eB!及对应于该层在该结构中成长时之晶格常数的面内晶格常数a#sB!in-plane#eB!。层中之应变量为︱(a#sB!in-plane#eB!-a#sB!bulk#eB!)︱/a#sB!bulk#eB!。在一些实施例中，该发光层中之应变小于1％。 |
