半导体装置之制造方法及半导体装置

摘要

一种半导体装置之制造方法，其系包含：形成一暴露一用以形成第一电晶体之区域与一用以形成第二电晶体之区域的第一遮罩图案，使用该第一遮罩图案来完成第一离子植入，使用该第一遮罩图案来完成第二离子植入，去除该第一遮罩图案以及形成一遮盖该第一电晶体形成区以及敞开该第二电晶体形成区的第二遮罩图案，以及使用该第二遮罩图案来完成第三离子植入。