发明名称 平坦化抛光方法及制造半导体装置的方法
摘要 本发明揭示一种将抛光目标晶圆抛光以达成平坦化表面之平坦化抛光方法,该方法包含以下步骤:藉由使用含有研磨粒及经由表面涂层囊封之界面活性剂之抛光浆料将抛光目标表面抛光成平坦化表面。
申请公布号 TW200845168 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW096150646 申请日期 2007.12.27
申请人 新力股份有限公司 发明人 藤井美香
分类号 H01L21/304(2006.01);B24B57/04(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本