发明名称 以氨与三氟化氮蚀刻氧化物
摘要 本发明大致上提供选择性去除半导体基材上之多种氧化物的设备和方法。本发明的一实施例提供一种使用蚀刻气体混合物以所欲之去除速率来选择性去除基材上之氧化物的方法。蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体,且第一气体和第二气体的比值系由所欲之去除速率确定之。
申请公布号 TW200845211 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW097101059 申请日期 2008.01.10
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 阿卡法尼瑞萨;高建德;吕新亮
分类号 C08L63/00(2006.01);C08L25/04(2006.01);C08L33/04(2006.01);C08F2/22(2006.01);B32B5/30(2006.01);B32B7/02(2006.01);G02B1/04(2006.01) 主分类号 C08L63/00(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国