| 摘要 |
执行软性程式化以使一组已抹除记忆体单元之临限电压分布变窄。软性程式化可使记忆体单元之临限电压偏移而更接近于已抹除状态之验证位准。可藉由软性程式化一组记忆体单元之部分来软性程式化该组记忆体单元，以提供更一致之软性程式化速率及临限电压。可将一第一软性程式化脉冲施加至该组记忆体单元中之第一群单元同时抑制软性程式化第二群单元。接着可将一第二软性程式化脉冲施加至第二群单元同时抑制软性程式化第一群单元。可将量值低于软性程式化脉冲之一小的正电压施加至待抑制之单元群组。可选择该小正电压之大小，使得该组记忆体单元中之每一记忆体单元在经受软性程式化时将经历来自邻近电晶体之类似的电容耦合效应。 |
