发明名称 | 形成表面导电带之方法 | ||
摘要 | 一种形成表面导电带之方法,于基材中形成表面具有导电连接层之深沟渠电容,且导电连接层接触导电层;形成覆盖上垫层与导电连接层之多晶矽层;进行选择性斜角离子布植制程,使部分多晶矽层为未掺杂多晶矽层;移除未掺杂多晶矽层以暴露出部分之导电连接层;对暴露出之导电连接层进行蚀刻制程以形成凹口;移除多晶矽层,使得暴露出之导电连接层成为导电连接带;将绝缘材料填满凹口以形成浅沟渠隔离;暴露出导电层;以及选择性移除导电层以形成第一导电带,其与导电连接带共同构成表面导电带。 | ||
申请公布号 | TW200849464 | 申请公布日期 | 2008.12.16 |
申请号 | TW096120384 | 申请日期 | 2007.06.06 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 郑志浩;李宗翰;李中元 |
分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |