发明名称 |
基于纳米粒子的结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于形成纳米尺度构造的方法。根据该方法,填料基质和嵌入在所述填料基质中的第一纳米粒子,以及两个导电电极叠加在所述绝缘材料层上。根据本发明,电压被施加在导电电极之间,利用填料基质和具有充分不同的电性质的第一纳米粒子,以便在施加所述电压时引起自组织的局部接触形成。本发明的潜在应用包括诸如存储器单元的基于金属氧化物纳米粒子的平行板电容器结构和高介电常数/可调节电容器。 |
申请公布号 |
CN101325244A |
申请公布日期 |
2008.12.17 |
申请号 |
CN200810109981.8 |
申请日期 |
2008.06.06 |
申请人 |
芬兰国立技术研究中心 |
发明人 |
T·玛蒂拉;A·阿拉斯塔洛;M·艾伦;H·瑟帕 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C16/02(2006.01);H01G4/30(2006.01);H01G4/06(2006.01);H01B3/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
刘佳 |
主权项 |
1.一种用于在结构中形成纳米尺度构造的方法,所述结构包括-填料基质和嵌入在所述填料基质中的至少一个第一纳米粒子,以及-叠加在所述填料基质的相对侧面上的两个导电电极,通过在导电电极之间施加电压,其特征在于-利用具有比填料基质高的相对介电常数的第一纳米粒子,用以将电场集中在所述纳米粒子附近,以便在施加所述电压时引起所述电极中的至少一个和所述第一纳米粒子之间的局部结构转变。 |
地址 |
芬兰埃斯堡市 |