具有凹沟道结构单元晶体管的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了这样的半导体器件，所述半导体器件包括：双栅外围晶体管，其具有表面沟道nMOSFET的晶体管结构和表面沟道pMOSFET的晶体管结构；以及单元晶体管，其具有带凹沟道结构的nMOSFET结构，所述单元晶体管的栅电极具有包含近似恒定浓度的N型杂质的N型多晶硅层。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体硅基片；器件分离部分，其在所述半导体硅基片上的预定位置处提供；具有凹沟道结构的单元晶体管，其在所述器件分离部分规定的所述半导体硅基片的第一区域处提供；具有nMOSFET结构的外围晶体管，其在所述器件分离部分规定的所述半导体硅基片的第二区域处提供；以及具有pMOSFET结构的外围晶体管，其在所述器件分离部分规定的所述半导体硅基片的第三区域处提供，(A)所述具有凹沟道结构的单元晶体管包括：(1)凹进部分，其在所述半导体硅基片上的预定位置处提供；(2)栅绝缘膜，其与所述凹进部分的内部接触；(3)栅电极，其具有：N型多晶硅层，其与所述栅绝缘膜接触地提供；以及传导层，其与所述N型多晶硅层接触地提供；以及(4)一对源/漏区，其包括所述半导体硅基片的表面区域上的所述栅电极的两侧处提供的N型扩散层，(B)所述第二区域处提供的具有nMOSFET结构的外围晶体管具有：(5)栅绝缘膜，其在所述半导体硅基片上的预定位置处提供；(6)栅电极，其具有：N型多晶硅层，其与所述栅绝缘膜接触地提供；以及传导层，其与所述N型多晶硅层接触地提供；以及(7)一对源/漏区，其包括所述半导体硅基片的表面区域上的所述栅电极的两侧处提供的N型扩散层，(C)所述第三区域处提供的具有pMOSFET结构的外围晶体管具有：(8)栅绝缘膜，其在所述半导体硅基片上的预定位置处提供；(9)栅电极，其具有：P型多晶硅层，其与所述栅绝缘膜接触地提供；以及传导层，其与所述P型多晶硅层接触地提供；以及(10)一对源/漏区，其包括所述半导体硅基片的表面区域上的所述栅电极的两侧处提供的P型扩散层，所述单元晶体管中的N型多晶硅层包含近似恒定浓度的N型杂质。