| 发明名称 | 在半导体元件中蚀刻介电材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法。提供一导电区域之后，形成一介电层于导电区域之上；再形成一抗反射层于介电层上；执行去除湿气步骤以去除该抗反射层以及该介电层与该抗反射层间的界面区域的湿气；转换一掩膜图案至该抗反射层与该介电层中。本发明提供的在半导体元件中蚀刻介电材料的方法，通过在覆盖光刻胶前执行去除湿气步骤，可以一致且完全地蚀刻介层洞。 | ||
| 申请公布号 | CN100444327C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200610057344.1 | 申请日期 | 2006.03.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黎丽萍;张宗生;郭伟毅;李宗宪;蔡俊琳;吴斯安;李音频 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法，包括：提供一导电区域；形成一介电层于该导电区域之上，并于该介电层上形成一抗反射层；图案化该抗反射层与该介电层前，执行一去除湿气步骤以去除该抗反射层的湿气及该抗反射层与介电层间的界面的湿气；及转换一掩膜的图案至该抗反射层及该介电层中。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||