| 发明名称 | 晶片分割方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沿着预定分割线分割晶片的方法，包括以下步骤：损坏层形成步骤，用于沿着所速分割线施加能够穿过晶片的脉冲激光束，以沿着所述分割线在所述晶片的内部形成损坏层；可扩展的保护带附着步骤，用于在所述损坏层形成步骤之前或之后将可扩展的保护带附着到所述晶片的一侧；以及分割步骤，用于在所述损坏层形成步骤之后，通过扩展附着到所述晶片上的保护带，沿着损坏层分割所述晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN100444326C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200410087048.7 | 申请日期 | 2004.10.22 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 永井祐介;中村胜;小林贤史;森重幸雄 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/78(2006.01);B23K26/00(2006.01);B28D5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种沿着预定分割线分割晶片的方法，包括以下步骤：损坏层形成步骤，用于沿着所述分割线施加能够穿过晶片的脉冲激光束，以沿着所述分割线在所述晶片的内部形成损坏层；可扩展的保护带附着步骤，用于在所述损坏层形成步骤之前或之后将可扩展的保护带附着到所述晶片的一侧；以及分割步骤，用于在所述损坏层形成步骤之后，通过扩展附着到所述晶片上的保护带，沿着损坏层分割所述晶片；其中，在所述损坏层形成步骤中，处理条件被设定为满足1.0≤V/(Y×D)≤2.5，其中Y是所述脉冲激光束的重复频率，单位Hz，D是所述脉冲激光束的焦点直径，单位mm，以及V是所述损坏层形成步骤中的处理供应速度，即所述晶片和所述脉冲激光束的相对移动速度，单位mm/sec。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||