| 发明名称 | 微型核电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(4)，该肖特基接触层的外边缘圆周上设有SiO<SUB>2</SUB>钝化层(5)和键合层(7)。该肖特基接触层(4)和肖特基接触电极(6)的形成采用同一工艺，即在SiO<SUB>2</SUB>钝化层(5)的中间位置采用湿法腐蚀出肖特基接触窗口，并在该窗口上及窗口周边的SiO<SUB>2</SUB>钝化层上淀积厚度为5～20nm的Ni或Pt或Au，剥离后分别形成肖特基接触层(4)和肖特基电极(6)。本发明具有工艺简单，转换效率高的优点，可用于将同位素放射的核能直接转换为电能。 | ||
| 申请公布号 | CN101325093A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810150436.3 | 申请日期 | 2008.07.23 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 张林;郭辉;张义门;韩超;张玉明 |
| 分类号 | G21H1/08(2006.01) | 主分类号 | G21H1/08(2006.01) |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;黎汉华 |
| 主权项 | 1.一种微型核电池，是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其特征在于，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(4)，该肖特基接触层的外边缘圆周上设有SiO2钝化层(5)和键合层(7)。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||