发明名称 |
大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置 |
摘要 |
本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置,所述制备技术包括如下步骤:(1)将称量好的高纯三氧化二铝装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10<SUP>-3</SUP>Pa时,充保护气氛,炉压为-90~+20KPa;(2)加热至原料充分熔化,恒温3~5h;(3)籽晶下保温下降15-120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度;(4)炉内温度降至1600~1750℃;(5)钼坩埚回升至加热区,恒温100-150h;缓慢降温至室温。采用本发明技术,具有装置结构简单、制造成本低,制备技术稳定性好、过程可靠、气泡易排除、成品率高的特点,可生长出大尺寸、位错密度小的高质量的蓝宝石单晶体。 |
申请公布号 |
CN101323978A |
申请公布日期 |
2008.12.17 |
申请号 |
CN200810045666.3 |
申请日期 |
2008.07.29 |
申请人 |
成都东骏激光有限责任公司 |
发明人 |
王国强;周世斌;邱一豇;肖兵 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01);C30B11/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01) |
代理机构 |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 |
代理人 |
彭立琼 |
主权项 |
1、一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术,其特征在于:包括如下步骤:(1)将称量好的高纯三氧化二铝(纯度≥99.995%)装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10-3Pa,充保护气氛至炉压为-90~+20KPa;(2)加热升温,升温速率500W~1000W/h,至原料充分熔化后,恒温3~5h;(3)炉膛内的籽晶下保温下降15-120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度,下降速率0.5~3.0mm/h;(4)降温,炉内温度降至1600~1750℃,降温速率为100W~300W/h;(5)钼坩埚回升至加热区,原位退火,1600~1750℃恒温100-150h;(6)缓慢降温至室温,降温速率50W~100W/h,继续通循环冷却水24~36h,取出晶体。 |
地址 |
611630四川省成都市蒲江县生态工业园兴隆路17号 |