具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法，包括有下列步骤：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上，其中该第一导电层包括有：一第一电极区；以及至少一第二电极区；其中该第一电极区电性连接该第二电极区中之一；形成一第一半导体层以覆盖该第二电极区；形成一介电层以覆盖该第一电极区和该第一半导体层；形成一第二半导体层于对应该第一电极区的该介电层上；以及形成一第二导电层，其中该第二导电层包括有：一第三电极区，对应该第二电极区而位于该介电层上；以及至少一第四电极区，对应该第一电极区而位于该第二半导体层上。本发明可大幅度降低引线孔的需求量，进而减少电子元件制造过程中的激光钻孔量，从而降低了生产成本。

主权项

1、一种具有多个晶体管的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上，其中该第一导电层包括有：一第一电极区；以及至少一第二电极区；其中该第一电极区通过该第一导电层电性连接该第二电极区中之一；形成一第一半导体层以覆盖该第二电极区；形成一介电层以覆盖该第一电极区和该第一半导体层；形成一第二半导体层于对应该第一电极区的该介电层上；以及形成一第二导电层，其中该第二导电层包括有：一第三电极区，对应该第二电极区而位于该介电层上；以及至少一第四电极区，对应该第一电极区而位于该第二半导体层上，其中该第一和该第三电极区分别作为两个晶体管的栅极，且该第二和该第四电极区分别作为两个晶体管的源极/漏极。