| 发明名称 | 一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微纳米加工技术领域，公开了一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法，该方法包括：A.在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术，将曝光图形转移到光刻胶掩膜上，控制图形最小线条尺寸在纳米量级；B.以光刻胶为掩模，采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向空气槽；C.在形成纵向空气槽的顶层硅表面，热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层；D.利用化学气相沉积技术，采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。利用本发明，制作出了纳米尺寸的三角形空气槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101325171A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200710118868.1 | 申请日期 | 2007.06.13 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 屠晓光;陈少武 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术，将曝光图形转移到光刻胶掩膜上，控制图形最小线条尺寸在纳米量级；B、以光刻胶为掩模，采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向空气槽；C、在形成纵向空气槽的顶层硅表面，热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层；D、利用化学气相沉积技术，采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||