半导体基底上的防护环系统

摘要

本发明提供一种半导体基底上的防护环系统，用以保护一集成电路。一第一防护环区域形成于该基底中的一阱区中。一第一电容形成于该第一防护环区域中。该电容包含有二阱接触区以及一第一介电层。该二阱接触区形成于该阱区中，且偏压于一第一供应电压。该第一介电层设于该二阱接触区之间，具有一第一边与该阱区接触。与该第一供应电压互补的一第二供应电压是提供与该第一介电层的一第二边，以于该第一介电层造成跨压，而提供一内建的局部电容。本发明所述半导体基底上的防护环系统，增加了空穴收集的能力。

主权项

1.一种半导体基底上的防护环系统，其特征在于，该半导体基底上的防护环系统用以保护一集成电路，包含有：一第一防护环区域，其中具有一电容，包含有：二第一接触区，形成于该基底中，且偏压于一第一供应电压；一第一介电层，设于该二第一接触区之间；以及一第一导电层，设于该第一介电层上，且偏压于一第二供应电压，以于该第一介电层造成跨压，而提供一内建之局部电容；以及一第二防护环区域，与该第一防护环区域相邻。