| 发明名称 | 液晶装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够在反射显示和透射显示的双方得到高质量的显示，并且设计改变的自由度高，容易地适应于对多种设备的应用的横向电场方式的液晶装置。本发明的半透射反射型液晶装置，在TFT阵列基板(10)的液晶层(50)侧具备像素电极(9)和共用电极(19)，通过产生于前述像素电极(9)和前述共用电极(19)之间的电场驱动液晶层(50)，在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域(R)和进行透射显示的透射显示区域(T)；其特征在于：前述反射显示区域(R)中的、介于像素电极(9)和共用电极(19)之间的绝缘膜的相对介电常数，比透射显示区域(T)中的前述绝缘膜的相对介电常数小。 | ||
| 申请公布号 | CN100443968C | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200610087991.7 | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 爱普生映像元器件有限公司 | 发明人 | 松岛寿治 |
| 分类号 | G02F1/133(2006.01);H04M1/02(2006.01);H04N5/225(2006.01) | 主分类号 | G02F1/133(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种半透射反射型的液晶装置，其具备夹持液晶层而对向配置的第1基板和第2基板，在前述第1基板的前述液晶层侧具备第1电极和第2电极，通过产生于前述第1电极和前述第2电极间的电场而驱动前述液晶层，并在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域和进行透射显示的透射显示区域；其特征在于：前述第2电极，形成于覆盖前述第1电极的层间绝缘膜之上；前述反射显示区域中的前述第1电极和前述第2电极间的静电电容，比前述透射显示区域中的前述静电电容小。 | ||
| 地址 | 日本长野县 | ||