| 发明名称 | 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配；然后采用粉末堆积或陶瓷常规成形工艺将混合均匀的配料组成制成生坯，置于石墨坩埚或匣钵中；将坩埚或匣钵放入温度梯度为15～30℃/cm温度场的真空气氛烧结炉中，在压力为0.2～1×10<SUP>5</SUP>Pa的氩气条件下升温至1900－2500℃，保温0.5－3小时；最后在气体保护下自然降温冷却，取出烧结体，即得到具有定向排列开孔结构的重结晶碳化硅多孔陶瓷。 | ||
| 申请公布号 | CN101323524A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810017970.7 | 申请日期 | 2008.04.15 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 高积强;杨建锋;刘光亮;程基宽;戴培赟;李春芳 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01);C04B38/00(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | C04B35/565(2006.01) |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱海临 |
| 主权项 | 1.一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：第一步，按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配；第二步，采用粉末堆积或常规陶瓷成形工艺将混合均匀的配料组成制成生坯，置于石墨坩埚或匣钵中；第三步，将坩埚或匣钵放入具有温度梯度为15～30℃/cm温度场的真空气氛烧结炉中，在压力为0.5×104～1×105Pa的氩气条件下升温至1900～2500℃，保温0.5～3小时；第四步，在第三步的气体保护下自然降温冷却，取出烧结体，得到具有定向排列孔结构的重结晶碳化硅多孔陶瓷。 | ||
| 地址 | 710049陕西省西安市咸宁路28号 | ||