| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体 | ||
| 摘要 | 一种形成于(110)衬底上的半导体结构(例如互补金属氧化物半导体(CMOS))，其在迁移率增强上具有改善的性能，该结构包括单张应力衬层、压应力浅沟槽隔离(STI)区，或者张应力嵌入阱的至少之一，其与(110)衬底结合使用来改善nFET和pFET两者中的载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN101326631A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200680046295.X | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 欧阳齐庆;马西莫·菲谢蒂 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L29/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1、一种半导体结构包括：具有(110)表面的半导体衬底；以及位于所述半导体衬底上的至少一个nFET和至少一个pFET，其中所述的至少一个nFET和所述至少一个pFET都具有沿<100>沟道方向的应变沟道。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||