一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法

摘要

本发明公开了一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；然后浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。本发明提供的方法，采用的原料均不含重金属，对环境友好，而且原料简单易得，生产工艺简单易于操作；采用本发明所述的方法转移后的氮化镓膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，产品质量标准符合欧盟标准和美国标准。

主权项

1.一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将有氮化镓膜层的硅基与金属箔用粘合剂粘合或在其上溅射纳米粒子防护层；(2)在金属箔或纳米粒子防护层的表面镀上防护性金属镀层；(3)在防护性金属镀层表面涂敷耐腐蚀物质；(4)浸入硅基的腐蚀溶液，至硅基片完全溶解。