| 发明名称 | 基板处理方法、装置、系统和计算机可读存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法，在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对上述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向上述第一和第二处理位置搬送，对上述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行上述氮原子的导入处理和上述热处理，将上述被处理基板在上述第一位置处理后，在上述第二处理位置在30秒以内开始对其处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101326620A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200780000645.3 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 有贺美辉;山崎和良;青山真太郎;下村晃司 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，其特征在于：在具有向高电介质膜中导入氮原子的第一处理位置和对所述高电介质膜进行热处理的第二处理位置的单片式基板处理装置中，将多个被处理基板按顺序逐个地向所述第一和第二处理位置搬送，对所述被处理基板上的高电介质膜按顺序进行所述氮原子的导入处理和所述热处理，在所述第一位置对所述被处理基板进行处理后，在所述第二处理位置在30秒以内开始对其进行处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||