发明名称 |
用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底和X射线探测器 |
摘要 |
在用于X射线探测器的薄膜晶体管(“TFT”)阵列衬底和具有该TFT阵列衬底的X射线探测器中,所述TFT阵列衬底包括栅极布线、栅绝缘层、有源层、数据布线、光电二极管、有机绝缘层和偏置布线。栅极布线形成在绝缘衬底上,并且包括栅极线和栅电极。栅绝缘层覆盖栅极布线。有源层形成在栅绝缘层上。数据布线形成在栅绝缘层上,并且包括数据线、源电极和漏电极。光电二极管包括下部和上部电极以及光电导层。有机绝缘层覆盖数据布线和光电二极管。偏置布线形成在有机绝缘层上。因此,提高了孔径比和可靠性。 |
申请公布号 |
CN101325207A |
申请公布日期 |
2008.12.17 |
申请号 |
CN200810109963.X |
申请日期 |
2008.06.11 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
郑宽旭;秋大镐 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L23/522(2006.01);G01T1/20(2006.01);G01T1/29(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
戎志敏 |
主权项 |
1.一种用于X射线探测器的薄膜晶体管阵列衬底,所述薄膜晶体管阵列衬底包括:栅极布线,形成在绝缘衬底上,并且包括栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极;栅绝缘层,覆盖所述栅极布线;有源层,形成在所述栅绝缘层上,以与所述栅电极交叠;数据布线,形成在所述栅绝缘层上,并且包括数据线、源电极和漏电极,所述数据线与所述栅极线交叉,所述源电极电连接到所述数据线并延伸到所述有源层的上部,以及所述漏电极与所述有源层上的所述源电极间隔开;光电二极管,形成在像素区域中,并且包括电连接到所述漏电极的下部电极、形成在所述下部电极上的光电导层、以及形成在所述光电导层上的上部电极,所述光电导层使用外部提供的光来产生电子和空穴;有机绝缘层,覆盖所述数据布线和所述光电二极管,并包括接触孔;以及偏置布线,形成在所述有机绝缘层上,并且通过穿过所述有机绝缘层形成的所述接触孔而电连接到所述上部电极。 |
地址 |
韩国京畿道 |