| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一个栅极图案；在栅极图案和衬底上形成第一绝缘层；在第一区域中蚀刻第一绝缘层，以在第一区域中形成至少一个栅极侧壁间隔物；在衬底结构上形成第二绝缘层；在第二区域中蚀刻第二绝缘层至预度厚度；在衬底结构上形成绝缘结构；以及在第二区域中蚀刻绝缘结构、蚀刻的第一绝缘层和第二绝缘层以形成接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101325173A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200710308388.1 | 申请日期 | 2007.12.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李敏硕 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成至少一个栅极图案；在所述栅极图案和所述衬底上形成第一绝缘层；在第一区域中蚀刻所述第一绝缘层，以在所述第一区域中形成至少一个栅极侧壁间隔物；在所述衬底结构上形成第二绝缘层；在第二区域中蚀刻所述第二绝缘层至预度厚度；在所述衬底结构上形成绝缘结构；和蚀刻在所述第二区域中的所述绝缘结构、所述蚀刻的第一绝缘层和所述第二绝缘层以形成接触孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||