| 发明名称 | 一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置，包括：提供一基板；在所述基板上沉积前电极并进行刻蚀；在所述前电极上沉积非晶硅薄膜；照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射；当非晶硅薄膜结晶时，减小所述非晶硅薄膜和所述基板间温度差别，晶化为具有较大晶粒的多晶硅薄膜；刻蚀所述多晶硅薄膜；在所述多晶硅薄膜上沉积背电极；刻蚀所述多晶硅薄膜和所述背电极；将基板、前电极、多晶硅薄膜、以及背电极封装成太阳电池。本发明所制备的太阳电池不仅成本低，而且光电转换效率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101325156A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200810135203.6 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 发明人 | 范振华 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 马浩 |
| 主权项 | 1.一种制备成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一基板；在所述基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积非晶硅薄膜；照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射；当非晶硅薄膜结晶时，减小所述非晶硅薄膜和所述基板间温度差别，晶化为多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 523081广东省东莞市南城区石鼓村大龙路6号 | ||