薄膜晶体管矩阵基板制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管矩阵基板制造方法，至少包括在栅极电极上方的栅极介电层的上方形成岛形半导体，其中栅极结构较岛形半导体宽。接着，在覆盖岛形半导体上方的绝缘层上形成搭接孔以暴露出部分岛形半导体。离子注入在曝露出的岛形半导体表面形成欧姆接触，形成透明导电层共型毯覆于所有结构之上，进行微影蚀刻工艺至少定义出源/漏极、像素电极、栅极电极接垫及信号电极接垫。

主权项

1.一种薄膜晶体管制造方法，适用于液晶显示面板的工艺上，该方法包含：提供透明基材；形成第一导体层于该透明基材之上；以第一道掩模工艺，图案化该第一导体层以形成第一导线层及栅极结构，其中该栅极结构与该第一导线层电连接；依序沉积第一介电层、半导体层及第二导体层覆盖该透明基材及该第一导线层及该栅极结构；以第二道掩模工艺，蚀刻该半导体层及该第二导体层以在该栅极结构上方形成岛形半导体及在第一介电层之上形成半导体/导体复层的第二导线层；形成第二介电层覆盖该透明基材之上；以第三道掩模工艺，图案化该第二介电层，以在该岛形半导体上形成源/漏极接触窗及在该第二导线层上形成接触窗而分别暴露出部分该岛形半导体以及部分该第二导线层；形成透明导电层覆盖该第二介电层并填入该源/漏极接触窗及该接触窗；以及以第四道掩模工艺，图案化该透明导电层以定义出源/漏极及像素电极，其中该源/漏极的一个与该像素电极电连接而该源/漏极的另一个与该第二导线层电连接。