| 发明名称 | 动态随机存取存储器的浅沟隔离制作方法 | ||
| 摘要 | 一种用于动态随机存取存储器的浅沟隔离的制作方法，包括：在硅衬底上形成有源区域和沟槽，该沟槽的斜角为85°以上；在沟槽中形成第一氧化硅薄衬；在第一氧化硅薄衬上形成氮化硅薄衬；在氮化硅层上形成第二氧化硅薄衬；高温退火；淀积高密度等离子氧化硅。通过该方法可以在原有的基础制程基础上降低动态随机存取存储器的漏电量，从而提高保持时间(Retention time)。 | ||
| 申请公布号 | CN101325170A | 申请公布日期 | 2008.12.17 |
| 申请号 | CN200710042073.7 | 申请日期 | 2007.06.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周维 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种用于动态随机存取存储器的浅沟隔离的制作方法，包括：提供一硅衬底；在该硅衬底上定义出有源区域，形成用于器件隔离的沟槽，其中，沟槽侧壁与沟槽底部以及有源区域表面的转角保持光滑且圆润，沟槽侧壁与沟槽底部内斜角大于或等于85°；对沟槽侧壁进行预前清洗，确保其表面无有机杂质和自然氧化层；在沟槽侧壁表面形成第一氧化硅薄衬；在第一氧化硅薄衬表面形成氮化硅薄衬；在氮化硅层上形成第二氧化硅薄衬；高温退火；淀积高密度等离子氧化硅，形成浅沟隔离。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||